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江西譽鴻錦材料科技有限公司
江西譽鴻錦材料科技有限公司從事第三代化合物半導體材料—氮化鎵（GaN）系列材料的開發制造和應用。二十余年來專注于GaN材料外延、電子器件、光電器件和器件封裝等的研發和生產，擁有堅實的理論基礎和豐富的實戰經驗，掌握氮化鎵外延、器件制備和封裝等領域的核心技術，本公司的GaN材料外延和器件的性能達到世界先進水平。公司的主要產品有高性能肖特基二極管勢壘（SBD）、高電子遷移率晶體管（HEMT）、射頻/功率放大器（RF PA）、深紫外發光二極管（UVC-LED）等，這些產品廣泛用于新能源汽車、數據中心、超算中心、5G通訊及殺菌消毒等領域。江西譽鴻錦材料科技有限公司將致力于實現氮化鎵電子器件和高端光電器件領域的“中國智造”！
公司簡介
公司優勢
核心團隊
榮譽資質
外延
具有先進的MOCVD外延設備，可提供:
● 4”/6”/8”英寸硅基/碳化硅基/藍寶石基等氮化鎵外延片;
●650V/900V/1200V各種擊穿電壓規格外延片;
● 5G/6G射頻外延片;
● 耗盡型、pGaN增強型及各種定制結構外延片;
● 外延片厚度2-6微米，不均勻性<土3%; .
● 外延片翹曲< 30微米;
● 外延片2DEG電子濃度> 8E12cm-2;
● 外延片電子遷移率> 1800 cm2/V·s;
芯片
具備GAN基的器件研發及生產能力，從芯片的設計到加工已形成了完整的體系。GaN的低損傷干法刻技術；光學增透膜和高反射膜的膜系設計及制備技術；多層金屬膜的沉淀及側壁保護技術；光掩膜版的優化設計及光掩膜的斷面成型技術；各種鈍化膜的低損傷制備及圖形化技術；完整的藍光，高A組分的UVC一LED制作技術；GaN基探測器，激光器等器件制作技術；GaN基的二端和三端器件的研發和微細加工技術。
封裝
領先的集成電路制造和技術服務，提供全方位的芯片成品制造一站式服務，包括設計仿真、技術開發、產品認證、晶圓中測、晶圓級中道封裝測試、系統級封裝測試、芯片成品測試。
·無機封裝 ·陶瓷封裝 ·金屬封裝
具備高集成度的晶圓級封裝（WLP）、2.5D/3D封裝、系統級封裝（SiP）、高性能倒裝芯片封裝和先進的引線鍵合技術
四大優勢
團隊優勢
公司擁有第三代半導體材料(GaN)、芯片及器件研發三十余年經驗的團隊，其中不僅有10余位博士成員，還包括世界上最早從事第三代半導體材料研究、外延生長、器件設計研發產業化等各方面專家。
研發優勢
具備全品類，各類襯底上GaN材料生長和流片能力，目前產能已達到1.5萬片/月，二期建成產能達到25萬片/月，并在性能和成本上占優勢；
設備優勢
日本大陽日酸株式會社制造的MOCVD設備可以生長高性能氮化鎵材料； 行業頂級設備數量。
銷售優勢
公司實現SBD、HEMT、UVC-LED規模化量產，已經與國內大型通訊設備生產商進行聯合研發
新聞中心
公司新聞
為客戶提供降本增效的全過程、多維度工程咨詢服務。
行業新聞
愿與各界同仁攜手并進，同舟共濟,開創屬于中國工程咨詢的新時代!
合作客戶
值得信賴的合作伙伴，和我們的合作一定能讓您輕松愉快。
