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江西譽鴻錦材料科技有限公司
江西譽鴻錦材料科技有限公司從事第三代化合物半導體材料—氮化鎵（GaN）系列材料的開發制造和應用。二十余年來專注于GaN材料外延、電子器件、光電器件和器件封裝等的研發和生產，擁有堅實的理論基礎和豐富的實戰經驗，掌握氮化鎵外延、器件制備和封裝等領域的核心技術，本公司的GaN材料外延和器件的性能達到世界先進水平。公司的主要產品有高性能肖特基二極管勢壘（SBD）、高電子遷移率晶體管（HEMT）、射頻/功率放大器（RF PA）、深紫外發光二極管（UVC-LED）等，這些產品廣泛用于新能源汽車、數據中心、超算中心、5G通訊及殺菌消毒等領域。江西譽鴻錦材料科技有限公司將致力于實現氮化鎵電子器件和高端光電器件領域的“中國智造”！
成功案例
專利產品
20年開發經驗
研發團隊
秉承“以精立業、以質取勝”的質量方針
具有完善的售前、售中、售后的服務
團隊優勢
公司擁有第三代半導體材料(GaN)、芯片及器件研發三十余年經驗的團隊，其中不僅有10余位博士成員，還包括世界上早期從事第三代半導體材料研究、外延生長、器件設計研發產業化等各方面專家。
研發優勢
具備全品類，各類襯底上GaN材料生長和流片能力，目前產能已達到1.5萬片/月，二期建成產能達到25萬片/月，并在性能和成本上占優勢。
設備優勢
日本大陽日酸株式會社制造的MOCVD設備可以生長高性能氮化鎵材料。
銷售優勢
公司實現SBD、HEMT、UVC-LED規模化量產，已經與國內大型通訊設備生產商進行聯合研發。
譽鴻錦核心團隊優勢
江西譽鴻錦團隊成員不僅有10余位博士成員，還擁有諾貝爾獎獲得者天野浩和中村修二提供強有力的技術支持，江西譽鴻錦技術團隊成員十余年來專注于GaN電子器件，如射頻/功率肖特基二極管（SBD）、高電子遷移率晶體管（HEMT）的研發，擁有豐富的工藝經驗，掌握了氮化鎵外延、器件制備和封裝等領域的核心技術，達到世界先進水平。同時，在UVC- LED和GaN 藍綠激光器的研發和生產上，公司引進日本大陽日酸株式會社MOCVD設備，由世界一流的專家提供技術支持。
譽鴻錦產線生產設備
企業擁有外延、芯片制造、模組封測相關進口設備600余臺套，如：MOCVD、NIKON EX14、Suss 光刻機、干法蝕刻機、PECVD、研磨機等設備
設備展示-10
光刻機（芯片）
鍍膜（芯片）
ICP（芯片）
RTP&PECVD（芯片）
合作客戶
值得信賴的合作伙伴，和我們的合作一定能讓您輕松愉快。
